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Code interne | 5029255 |
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Spécifications techniques | Type de composant : IGBT Catégorie IGBT Full Silicon Configuration : Half Bridge 1* (phase Leg) Construction : 2* (IGBT+D) Nombre de circuits (dans le boîtier) 2 ks Type de châssis : module Boîtier [pouces] : Semix-3P Type de matériau : Si-Silicon RoHS Oui Numéro REACH NOVINKA N. RoHS 1 an IFAV/IC (Tc/Ta = 25 °C) 678 [A] IDC max (Tc/Ta = 80 à 89 °C) 521 [A] Uisol (@25 °C/1 min/50 Hz) 2500 [V] UF (tension directe maximale) 2,14 [VDC] ? UCE (samedi) (@25 °C) 1,8 [V] tr (temps d'activation/de montée) 67 [ns] tf/tq (arrêt ou arrêt) 110 [ns] Qg (charge totale de porte) 2550 [nC] Cin (capacité d'entrée) 27900 [pF] Dimensions (L*W*H) [mm] : 150 x 62 x 21 Tmin (température minimale de fonctionnement) -40 [°C] Tmax (température maximale de fonctionnement) 150 [°C] RTH-C (résistance à la chaleur) 0,021 [°C/W] ? L - longueur 150 [mm] W - largeur 62 [mm] H - hauteur 21 [mm] |
Redresseur de pont
Modules IGBT4 rapides
Module IGBT4
Module : Thyristor
Module avec deux diodes de silicium, Cathode commune
Module avec deux diodes silicium, anode commune
Modules Thyristor
MODULE DIODE/DIODE
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Redresseurs haute tension
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